FDB9503L-F085
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | FDB9503L-F085 |
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Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 40V 110A D2PAK |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $5.34 |
10+ | $4.795 |
100+ | $3.929 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±16V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | D²PAK (TO-263) |
Serie | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6mOhm @ 80A, 10V |
Verlustleistung (max) | 333W (Tj) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 8320 pF @ 20 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 255 nC @ 10 V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 110A (Tc) |
Grundproduktnummer | FDB9503 |
FDB9503L-F085 Einzelheiten PDF [English] | FDB9503L-F085 PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
FDBA 50-10-6 PN-K
MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
MOSFET N-CH 40V 80A TO-263
MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK
SFPWIRE 25G DIRECT ATTACH COPPER
FDBA 50H 10-6 PN-K
CONN HSG RCPT FLANGE 3POS PIN
FDBA 53H 8-3A-PN-K
FDB9406 FAIRCHI
MOSFET 40V 110X72 MIL DPAK
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MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK
MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK
FDB9406_F085 Fairchild/ON Semiconductor
FDBA 53H 8-98 PW-K
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FDBA 50H 16-26 PN-K
FDBA 50H 14-19 PN-K-A276
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() FDB9503L-F085onsemi |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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